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万欣



高可靠功率半导体研究中心     执行主任  

嘉兴奥罗拉电子科技有限公司   总经理




教育背景

201109-201607 清华大学,核能与新能源技术研究院,博士

201409月-201509 耶鲁大学,电机与电子工程系,访学博士

200809-2011年07 清华大学,核能与新能源技术研究院,硕士

200409月-200807月 复旦大学,微电子学系,本科生    

工作履历

20181 – 至今,浙江清华长三角研究院,高可靠功率半导体研究中心,执行主任

201612 – 至今,嘉兴奥罗拉电子科技有限公司,总经理

 

奖励与荣誉(市级及以上)

1)嘉兴市领军人才

2)“南湖百杰”创业新苗奖

发表论文、论著及专利

代表性论文:

 [1]  Wan Xin, Baker O K, McMurdy M W, et al. Low energy proton irradiation effects on commercial enhancement mode GaN HEMTs. IEEE Transaction on Nuclear Science, 2017, 64(1): 253-257.

[2]  Wan Xin, Zhou Weisong, Ren Shufeng, et al. SEB hardened power MOSFETs with high-k dielectrics. IEEE Transaction on Nuclear Science, 2015, 62(6):2830-2836.

[3]  Wan Xin, Zhou Weisong, Liu Daoguang, et al. Charge deposition model for investigating SE-microdose effect in trench power MOSFETs. Journal of Semiconductors, 2015, 36(5):054003.

[4]  Wan Xin, Liu Daoguang, Wen Jingchao, et al. Fabrication and characterization of radhard power MOSFETs. Connecticut Symposium on Microelectronics and Optoelectronics, 2015, Bridegeport, USA.

[5] 谭桢,魏志超,孙亚宾,万欣,晋虎,万慧君,王敬,刘道广,许军. 功率半导体器件辐射效应综述。微电子学,2017,47(5): 690-694.