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许军



清华大学 微电子研究所  教授    

浙江清华长三角研究院高可靠功率半导体研究中心   主任  


教育背景

1994年09月-1996年08月,清华大学,微电子学研究所,博士后

1989年09月-1994年07月  航天工业部771研究所,计算机器件与设备专业,博士

1986年09月-1989年07月,航天工业部771研究所,计算机器件与设备专业,硕士

1981年09月-1986年07月,清华大学,半导体器件与物理专业,工学学士

 

工作履历

2002年12月-至今,清华大学,微电子学研究所,研究员

201801-至今,浙江清华长三角研究院高可靠功率半导体研究中心,主任

1997年07月-2002年11月,清华大学,微电子学研究所,副研究员

(其中1997/11-1999/11,美国新奥尔良大学,先进材料研究所固体器件研究组,访问学者)

1996年10月-1997年06月,清华大学,微电子学研究所,助理研究员

奖励与荣誉(市级及以上)

 

发表论文、论著及专利

主持或参加科研项目(课题)及人才计划项目情况(按时间倒序排序):

  1. 国家自然科学基金国际合作项目,60820106001,SiGe应变沟道功率MOSFET器件,2009/01-2011/12,80万元,已结题,主持

  2. 国家自然科学基金重点项目,60636010,适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究,2007/01-2010/12,200万元,已结题,主持

  3. 国家自然科学基金面上项目,60476107,下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究,2005/01-2007/12,26万元,已结题,主持、

代表性论文:

一、期刊论文

1.第一作者论文

 (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.

2.通讯作者论文

2Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.

3Zhen TanHe TianTingting FengLianfeng ZhaoDan XieYi YangLei XiaoJing WangTian-Ling Ren,  Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.

4Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3. 

5Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.

6Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210

代表性论文:

一、期刊论文

1.第一作者论文

 (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.

2.通讯作者论文

2Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.

3Zhen TanHe TianTingting FengLianfeng ZhaoDan XieYi YangLei XiaoJing WangTian-Ling Ren,  Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.

4Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3. 

5Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.

6Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210

二、会议论文

1. 第一作者论文

1Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Dynamic threshold-voltage SOI MOSFET with a stepped channel doping profile, Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Cancun, Mexico, 2000.03.15-03.17, p.D29-1- D29-5.

2. 通讯作者论文

2Zhen Tan, Lianfeng Zhao, Yanwen Chen, Jing Wang, Jun Xu*, Compressively strained GaSb P-channel MOSFETs with high hole mobility, 73rd Annual Device Research Conference, DRC 2015, Columbus, OH, United states, 2015.06.21-06.24.

3Fengying Qiao, Xiao Yu, Liyang Pan, Haozhi Ma, Dong Wu, Jun Xu*, TID characterization of 0.13mm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory, Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA, 2012, Singapore, 2012.07.02-07.06.

授权发明专利

(1) 梁仁荣、崔宁、王敬、许军,具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201110049788.1

(2) 梁仁荣、王敬、许军,半导体器件结构及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201010146499.9

(3) 梁仁荣、王敬、许军,高性能场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201010268632.8

(4) 梁仁荣、许军、王敬,互补隧道穿透场效应晶体管及其形成方法,2012.12.19,中国,ZL201110086616.1

(5) 梁仁荣、许军、赵梅、王敬,具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法,2013.07.31,中国,ZL201110061729.6

6)崔宁、梁仁荣、王敬、许军,具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,2015.04.15,中国,ZL201210015369.0

7)刘立滨、梁仁荣、王敬、许军,一种动态随机存储器单元及其制备方法,2015.06.24,中国,ZL201210161248.7