万欣

博士

高可靠功率半导体研究中心执行主任 ,嘉兴奥罗拉电子科技有限公司总经理

教育背景

  • 2011年09月 - 2016年07月   清华大学,核能与新能源技术研究院,博士
  • 2014年09月 - 2015年09月   耶鲁大学,电机与电子工程系,访学博士
  • 2008年09月 - 2011年07月   清华大学,核能与新能源技术研究院,硕士
  • 2004年09月 - 2008年07月   复旦大学,微电子学系,本科生

工作履历

  • 2018年01月 – 至今   浙江清华长三角研究院,高可靠功率半导体研究中心,执行主任
  • 2016年12月 – 至今   嘉兴奥罗拉电子科技有限公司,总经理

奖励与荣誉(市级及以上)

  1. 嘉兴市领军人才
  2. “南湖百杰”创业新苗奖

代表性论文

  • [1] Wan Xin, Baker O K, McMurdy M W, et al. Low energy proton irradiation effects on commercial enhancement mode GaN HEMTs. IEEE Transaction on Nuclear Science, 2017, 64(1): 253-257.
  • [2] Wan Xin, Zhou Weisong, Ren Shufeng, et al. SEB hardened power MOSFETs with high-k dielectrics. IEEE Transaction on Nuclear Science, 2015, 62(6):2830-2836.
  • [3] Wan Xin, Zhou Weisong, Liu Daoguang, et al. Charge deposition model for investigating SE-microdose effect in trench power MOSFETs. Journal of Semiconductors, 2015, 36(5):054003.
  • [4] Wan Xin, Liu Daoguang, Wen Jingchao, et al. Fabrication and characterization of radhard power MOSFETs. Connecticut Symposium on Microelectronics and Optoelectronics, 2015, Bridegeport, USA.
  • [5] 谭桢,魏志超,孙亚宾,万欣,晋虎,万慧君,王敬,刘道广,许军. 功率半导体器件辐射效应综述。微电子学,2017,47(5): 690-694.