许军

教授

清华大学微电子研究所教授;浙江清华长三角研究院高可靠功率半导体研究中心主任

教育背景

  • 1994年09月-1996年08月   清华大学,微电子学研究所,博士后
  • 1989年09月-1994年07月   航天工业部771研究所,计算机器件与设备专业,博士
  • 1986年09月-1989年07月   航天工业部771研究所,计算机器件与设备专业,硕士
  • 1981年09月-1986年07月   清华大学,半导体器件与物理专业,工学学士

工作履历

  • 2002年12月-至今,清华大学,微电子学研究所,研究员
  • 2018年01月-至今,浙江清华长三角研究院高可靠功率半导体研究中心,主任
  • 1997年07月-2002年11月,清华大学,微电子学研究所,副研究员(其中1997/11-1999/11,美国新奥尔良大学,先进材料研究所固体器件研究组,访问学者)
  • 1996年10月-1997年06月,清华大学,微电子学研究所,助理研究员

主持或参加科研项目(课题)及人才计划项目情况

  1. 国家自然科学基金国际合作项目,60820106001,SiGe应变沟道功率MOSFET器件,2009/01-2011/12,80万元,已结题,主持
  2. 国家自然科学基金重点项目,60636010,适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究,2007/01-2010/12,200万元,已结题,主持
  3. 国家自然科学基金面上项目,60476107,下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究,2005/01-2007/12,26万元,已结题,主持、

代表性论文

  • (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.
  • (2) Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.
  • (3) Zhen Tan, He Tian, Tingting Feng, Lianfeng Zhao, Dan Xie, Yi Yang, Lei Xiao, Jing Wang, Tian-Ling Ren, Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.
  • (4) Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3.
  • (5) Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.
  • (6) Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210
  • (7) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Dynamic threshold-voltage SOI MOSFET with a stepped channel doping profile, Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Cancun, Mexico, 2000.03.15-03.17, p.D29-1- D29-5.
  • (8) Zhen Tan, Lianfeng Zhao, Yanwen Chen, Jing Wang, Jun Xu*, Compressively strained GaSb P-channel MOSFETs with high hole mobility, 73rd Annual Device Research Conference, DRC 2015, Columbus, OH, United states, 2015.06.21-06.24.
  • (9) Fengying Qiao, Xiao Yu, Liyang Pan, Haozhi Ma, Dong Wu, Jun Xu*, TID characterization of 0.13mm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory, Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA, 2012, Singapore, 2012.07.02-07.06.

授权发明专利

  • (1) 梁仁荣、崔宁、王敬、许军,具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201110049788.1
  • (2) 梁仁荣、王敬、许军,半导体器件结构及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201010146499.9
  • (3) 梁仁荣、王敬、许军,高性能场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,中国,ZL201010268632.8
  • (4) 梁仁荣、许军、王敬,互补隧道穿透场效应晶体管及其形成方法,2012.12.19,中国,ZL201110086616.1
  • (5) 梁仁荣、许军、赵梅、王敬,具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法,2013.07.31,中国,ZL201110061729.6
  • (6) 崔宁、梁仁荣、王敬、许军,具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,2015.04.15,中国,ZL201210015369.0
  • (7) 刘立滨、梁仁荣、王敬、许军,一种动态随机存储器单元及其制备方法,2015.06.24,中国,ZL201210161248.7